參數(shù)資料
型號(hào): UPA611TA
廠商: NEC Corp.
英文描述: N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述: N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速開關(guān)
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 52K
代理商: UPA611TA
Data Sheet D11707EJ1V0DS00
4
μ
PA611TA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
2
8
4
6
10
V
GS
= 10 V
T
A
= 125
C
75
C
25
C
25
C
0
10
20
30
4
8
12
16
20
R
D
-
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
= 1 mA
10 mA
100 mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
0.01
100
10
100
1
0.1
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0.1
10
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
t
(
,
(
,1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
V
DD
= 3 V
V
GS(on)
= 4V
R
G
10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
0.0001
0.001
0.01
1
0.1
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
I
F
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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