參數(shù)資料
型號(hào)： UPA602T
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管6引腳2電路
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： UPA602T
μ
PA602T
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
1
100
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
R
D
10
1 000
I
D
- Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
R
D
–30
30
20
10
0
T
ch
- Channel Temperature - C
CAPACITANCE vs.
DARIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
0.1
100
10
1
0.1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
10
100
I
D
- Drain Current - mA
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
0.4
100
10
1
0.1
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
D
= 10 mA
Pulsed
measurement
50
10
5
1
5
10
50
100
500
100
50
10
50
100
500
1 000
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
V
GS
= 10 V
Pulsed
measurement
0
30
60
90
120
150
V
= 10 V
Pulsed
measurement
1
10
100
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
50
20
10
20
50
100
V
DD
= 5 V
V
GS
= 5 V
R
G
= 10
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA606T N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA611TA N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA651TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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參數(shù)描述
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UPA603 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
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