參數(shù)資料
型號(hào)： UPA602T
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管6引腳2電路
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： UPA602T
μ
PA602T
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0
±
1.0
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 5.0 V, I
D
= 1.0
μ
A
0.8
1.4
1.8
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 5.0 V, I
D
= 10 mA
20
mS
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 10 mA
19
30
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 10 V, I
D
= 10 mA
15
25
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
16
pF
Output Capacitance
C
oss
12
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
3
pF
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
GS(on)
= 5.0 V, R
G
= 10
, V
DD
= 5.0 V,
I
D
= 10 mA, R
L
= 500
17
ns
Rise Time
t
r
10
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
68
ns
Fall Time
t
f
38
ns
Marking: IA
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS (RESISTANCE LOADED)
PG.
R
G
DUT
R
L
V
DD
τ
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1 %
0
V
GS
Gate
voltage
waveform
Drain
current
waveform
V
GS
I
D
0
10 %
V
GS(on)
I
D
90 %
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
10 %
10 %
90 %
90 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA606T N-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS FOR SWITCHING
UPA611TA N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
UPA651TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA652TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA653TT P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
UPA602T-T1-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA602T-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA603 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET 6-PIN 2 CIRCUITS
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