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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPA1755G |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | UPA1755G |
Data Sheet G12715EJ1V0DS00
4
μ
PA1755
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
0
40
20
0
40
80
120
I
D
= 3.5
A
40
80
60
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
F
0.1
0
1
10
100
0.5
1.0
1.5
Pulsed
V
GS
=10V
V
GS
=0V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
V
= 0
f = 1 MHz
C
oss
C
iss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
1000
100
10
1
1
10
100
V
DS
=
15
V
V
GS
=
10
V
R
G
=
10
t
d(on)
t
d(off)
t
f
t
r
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
t
r
0.1
1
10
100
1000
100
10
1
di/dt
=
100
A/
μ
s
V
GS
=
0
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
40
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
5
10
15
20
30
20
10
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
=
7
A
V
DD
=24
V
V
DD
=15
V
V
DD
=6
V
V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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