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參數(shù)資料
| 型號： | UPA1717G |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 中文描述： | 開關(guān)P溝道功率MOS FET工業(yè)用 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | UPA1717G |
Data Sheet G14047EJ1V0DS00
5
μ
PA1717
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
50
60
40
20
0
0
50
100
150
Pulsed
10
V
I
D
=
3 A
V
GS
=
4.5
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.01
0.00
0.1
1
10
0.50
1.00
1.50
100
0 V
Pulsed
V
GS
=
4.5 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.01
100
10000
0.1
1
10
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
100
1000
10
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
V
GS(on)
=
10 V
V
DD
=
15 V
R
G
= 6
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE CURRENT
I
F
- Diode Current - A
t
r
0.1
1
10
100
1000
100
10
1
di/dt
=
100
A/
μ
s
V
GS
=
0
V
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
40
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
5
10
15
20
10
20
30
2
4
6
8
0
I
D
=
6
A
10
12
V
DS
=
24 V
15 V
6 V
V
GS
V
DS
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PDF描述 |
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