參數資料
型號： TPCS8204
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山型（U型MOSIII）
文件頁數： 4/7頁
文件大?。?/td> 304K
代理商： TPCS8204
TPCS8204
2002-02-14
4
I
D
– V
DS
I
D
– V
DS
I
D
– V
GS
V
DS
– V
GS
|Y
fs
| – I
D
R
DS (ON)
– I
D
F
Y
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
Drain current I
D
(A)
Drain current I
D
(A)
D
R
D
)
0
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
2
4
6
8
10
0.2
0.4
0.8
3
6
ID
=
1.5 A
12
0.6
0
Common source
Ta
=
25°C, Pulse test
VGS
=
1.2 V
1.3
1.4
1.5
2
4, 5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
2
3
4
5
0
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
VGS
=
1.2 V
1.3
1.4
1.5
2
4, 5
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
1.7
1.6
0
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
Ta
=
55°C
100
25
1
0.1
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
1
10
10
100
Ta
=
55°C
25
100
1
0.1
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
1
10
10
100
VGS
=
2 V
2.5
4
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