參數(shù)資料
型號： TPCS8104
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅P通道馬鞍山類型
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 378K
代理商： TPCS8104
TPCS8104
2002-04-05
4
F
f
|
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
Drain current I
D
(A)
|Y
fs
| – I
D
Drain current I
D
(A)
D
R
D
)
2
3
4
5
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
0
20
30
40
10
0
1
100
Ta
=
55°C
25
0
2
0
4
6
8
10
2
4
6
8
10
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
VGS
=
2 V
2.2
3
10
5
4
2.1
2.3
2.4
2.5
8
12
16
20
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
2.2
VGS
=
2.1 V
0
8
12
16
20
4
0
4
3
5
4
10
2.3
2.4
2.5
2.7
2.6
8
12
16
20
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.1
0
4
ID
=
11 A
2.5
5.5
0.3
0.1
1
10
100
0.5
3
5
30
50
1
10
50
Common source
VDS
=
10 V
Pulse test
Ta
=
55°C
100
25
30
3
5
0
.
3
0
.
5
R
DS (ON)
– I
D
0.3
0.1
1
10
100
0.5
3
5
30
50
1
10
50
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
30
3
5
0
.
3
0
.
5
10
VGS
=
4.5 V
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PDF描述
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