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參數(shù)資料
| 型號： | TP28F010-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PDIP32 |
| 封裝： | 0.620 X 1.640 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 32/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | TP28F010-120 |
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28F010
E
32
4.11
Erase and Programming Performance
Parameter
Notes
Min
Typical
Max
Unit
Chip Erase Time
1, 3, 4
1
10
Sec
Chip Program Time
1, 2, 4
2
12.5
Sec
NOTES:
1.
2.
“Typicals” are not guaranteed, but based on samples from production lots. Data taken at 25 °C, 12.0 V V
PP
.
Minimum byte programming time excluding system overhead is 16 μsec (10 μsec program + 6 μsec write recovery), while
maximum is 400 μsec/byte (16 μsec x 25 loops allowed by algorithm). Max chip programming time is specified lower than
the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst case
byte.
Excludes 00H programming prior to erasure.
Excludes system level overhead.
3.
4.
290207-19
NOTE:
Alternative CE#-Controlled Write Timings also apply to erase operations.
Figure 15. Alternate AC Waveforms for Programming Operations
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TP28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TP28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| TP3067BDW | MONOLITHIC SERIAL INTERFACE COMBINED PCM CODEC AND FILTER |
| TP13067BDW | MONOLITHIC SERIAL INTERFACE COMBINED PCM CODEC AND FILTER |
| TP3067BN | MONOLITHIC SERIAL INTERFACE COMBINED PCM CODEC AND FILTER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TP28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TP28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TP28F512-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| TP29 | 制造商:B&K Precision Corporation 功能描述: |
| TP-29 | 功能描述:測試探頭 THERMOCOUPLE PROBE RoHS:否 制造商:Teledyne LeCroy 設備類型:Passive Probes 帶寬:500 MHz 尖端類型: 長度:1.3 mm 顏色:Black 電壓額定值: 電流額定值: |
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