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參數(shù)資料
| 型號： | TN28F020-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 32/38頁 |
| 文件大小： | 878K |
| 代理商： | TN28F020-120 |
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28F020
E
32
0245_11
Figure 11. 28F020 Typical Programming
Capability
0245_12
Figure 12. 28F020 Typical Program Time at 12 V
0245_13
NOTE:
Does not include Pre-Erase Program.
Figure 13. 28F020 Typical Erase Capability
0245_14
NOTE:
Does not include Pre-Erase Program.
Figure 14. 28F020 Typical Erase Time at 12 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
| TN5C060-45 | 16 MACROCELL CMOS PLD |
| TN5C090-50 | 24 MACROCELL CMOS PLD |
| TN5C090 | 24 MACROCELL CMOS PLD |
| TN5C180 | 48-MACROCELL CMOS PLD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F020-150 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| TN28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: |
| TN29/19/15-3E25 | 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE TOROID 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE TN29/19/15-3E25 制造商:Yageo / Ferroxcube 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25 制造商:FERROXCUBE 功能描述:FERRITE CORE, TOROID, 3E25; Core Type:Toroid; Core Size:TN29; Material Grade:3E25; Effective Magnetic Path Length:73.2mm; Ae Effective Cross Section Area:73.9mm2; Inductance Factor Al:7000nH; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); External ;RoHS Compliant: Yes |
| TN29/19/7.5 | 制造商:FERROXCUBE 制造商全稱:Ferroxcube International Holding B.V. 功能描述:Ferrite toroids |
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