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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN28F010-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 7/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | TN28F010-120 |
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E
28F010
7
Table 1. Pin Description
(Continued)
Symbol
Type
Name and Function
V
PP
ERASE/PROGRAM POWER SUPPLY
for writing the command register,
erasing the entire array, or programming bytes in the array.
V
CC
DEVICE POWER SUPPLY
(5 V ±10%)
V
SS
GROUND
NC
NO INTERNAL CONNECTION
to device. Pin may be driven or left floating.
Figure 2. 28F010 Pin Configurations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-90 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| TN28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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