參數資料
型號： TN28F010-120
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
中文描述： 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
封裝： 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32
文件頁數： 17/33頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： TN28F010-120
E
28F010
17
Table 4. 28F010 Typical Update Power Dissipation
(4)
Operation
Notes
Power Dissipation (Watt-Seconds)
Array Program/Program Verify
1
0.171
Array Erase/Erase Verify
2
0.136
One Complete Cycle
3
0.478
NOTES:
1.
Formula to calculate typical Program/Program Verify Power = [V
PP
× # Bytes × typical # Prog Pulses (t
× I
PP2
typical
+ t
WHGL
× I
PP4
typical)] + [V
CC
× # Bytes × typical # Prog Pulses (t
WHWH1
× I
CC2
typical + t
WHGL
× I
CC4
typical].
Formula to calculate typical Erase/Erase Verify Power = [V
PP
(V
PP3
typical × t
ERASE
typical + I
PP5
typical × t
WHGL
× #
Bytes)] + [V
CC
(I
CC3
typical × t
ERASE
typical + I
CC5
typical × t
WHGL
One Complete Cycle = Array Preprogram + Array Erase + Program.
“Typicals” are not guaranteed, but based on a limited number of samples from production lots.
2.
3.
4.
相關PDF資料
PDF描述
TN28F010-150 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F020-90 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F020-150 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F020-120 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F512-120 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY
相關代理商/技術參數
參數描述
TN28F010-150 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F010-90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F020-120 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TN28F020-150 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC
TN28F020-90 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
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