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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TN28F010-120 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32 |
| 封裝： | 0.450 X 0.550 INCH, PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/33頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 895K |
| 代理商： | TN28F010-120 |
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28F010
E
4
REVISION HISTORY
Number
Description
-007
Removed
200 ns
Speed Bin
Revised Erase Maximum Pulse Count for Figure 4 from
3000
to
1000
Clarified AC and DC Test Conditions
Added
“dimple” to F TSOP Package
Corrected Serpentine Layout
-008
Corrected AC Waveforms
Added Extended Temperature Options
-009
Added 28F010-65 and 28F010-90 speeds
Revised Symbols, i.e., CE, OE, etc. to CE#, OE#, etc.
-010
Completion of Read Operation Table
Labelling of Program Time in Erase/Program Table
Textual Changes or Edits
Corrected Erase/Program Times
-011
Minor changes throughout document
-012
Removed 65 ns speed bin
Removed TSOP package
Added Extended Temperature options
Modified
AC Test Conditions
Modified
AC Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TN28F010-150 | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-90 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F512-120 | 512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TN28F010-150 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F010-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| TN28F020-150 | 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 32 Pin, Plastic, PLCC |
| TN28F020-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
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