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參數(shù)資料
| 型號： | TMS6641648A |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| 中文描述： | 4 194 304 4位/ 2 097 152 8位/ 1 048 576由16位4，銀行同步動態(tài)隨機存取記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 27/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 958K |
| 代理商： | TMS6641648A |
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TMS664414, TMS664814, TMS664164
4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
SMOS695A – APRIL 1998 – REVISED JULY 1998
27
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251–1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
nHZP3
CLK
DQ
(For CL = 3)
DEAC/DCAB
Command
tHZ
nHZP2
Final Output of
Burst
DQ
(For CL = 2)
Final Output of
Burst
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2, 3 and burst length > 1.
Figure 13. Final Data Output to DEAC or DCAB Command for CAS Latency = 2, 3
CAS Latency = 2
(see Note A)
CLK
DQ
D
Q
Ignored
DQMx
ENBL Command
WRT Command
READ Command
DEAC/DCAB
Command
tIS
tIH
nWR
nDOD
(for ENBL)
nDOD
(for MASK)
MASK
Command
MASK
Command
NOTE A: For this example, assume CAS latency = 2 and burst length = 2.
Figure 14. DQ Masking
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TMS6644148A | 4 194 304 BY 4-BIT/2 097 152 BY 8-BIT/1 048 576 BY 16-BIT BY 4-BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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參數(shù)描述 |
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