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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F640P30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 66/102頁 |
| 文件大?。?/td> | 1609K |
| 代理商： | TE28F640P30B85 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁當(dāng)前第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁
1-Gbit P30 Family
April 2005
66
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
When a programming operation is executing, issuing the Program Suspend command requests the
WSM to suspend the programming algorithm at predetermined points. The device continues to
output Status Register data after the Program Suspend command is issued. Programming is
suspended when Status Register bits SR[7,2] are set. Suspend latency is specified in
Section 7.5,
“Program and Erase Characteristics” on page 45
.
To read data from the device, the Read Array command must be issued. Read Array, Read Status
Register, Read Device Identifier, CFI Query, and Program Resume are valid commands during a
program suspend.
During a program suspend, deasserting CE# places the device in standby, reducing active current.
V
PP
must remain at its programming level, and WP# must remain unchanged while in program
suspend. If RST# is asserted, the device is reset.
11.5
Program Resume
The Resume command instructs the device to continue programming, and automatically clears
Status Register bits SR[7,2]. This command can be written to any address. If error bits are set, the
Status Register should be cleared before issuing the next instruction. RST# must remain deasserted
(see
Figure 41, “Program Suspend/Resume Flowchart” on page 86
).
11.6
Program Protection
When V
PP
= V
IL
, absolute hardware write protection is provided for all device blocks. If V
PP
is at
or below V
PPLK
, programming operations halt and SR[3] is set indicating a V
PP
-level error. Block
lock registers are not affected by the voltage level on V
PP
; they may still be programmed and read,
even if V
PP
is less than V
PPLK
.
Figure 31.
Example VPP Supply Connections
Factory Programming with
V
PP
= V
PPH
Complete write/Erase Protection when
V
PP
≤
V
PPLK
VCC
VPP
VCC
VPP
Low Voltage and Factory Programming
Low-voltage Programming only
Logic Control of Device Protection
VCC
VPP
Low Voltage Programming Only
Full Device Protection Unavailable
VCC
VPP
≤
10K
V
PP
V
CC
V
CC
PROT #
V
CC
V
PP
=V
PPH
V
CC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F640P30T85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F128P30B85 | Intel StrataFlash Embedded Memory |
| TE28F160B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F800B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| TE28F400B3-B120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| TE28F640P30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory |
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| TE28F640P33B85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| TE28F640P33T85A | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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