參數(shù)資料
型號： TE28F640P30B85
廠商： INTEL CORP
元件分類： DRAM
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝： 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù)： 102/102頁
文件大小： 1609K
代理商： TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
April 2005
102
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Appendix F Ordering Information for SCSP Products
Figure 49.
Decoder for SCSP Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
F 4 0
P 0 Z B
8
D 4
R
0 0
Q
Group Designator
48F = Flash Memory only
Package Designator
RD = Intel
SCSP, leaded
PF = Intel
SCSP, lead-free
RC = 64-Ball Easy BGA, leaded
PC = 64-Ball Easy BGA, lead-free
Flash Density
0 = No die
2 = 64-Mbit
3 = 128-Mbit
4 = 256-Mbit
F
F
F
F
F
F
0
Product Family
P = Intel StrataFlash Embedded Memory
0 = No die
Device Details
0 = Original version of the product
(refer to the latest version of the
datasheet for details)
Ballout Designator
Q = QUAD ballout
0 = Discrete ballout
Parameter, Mux Configuration
B = Bottom Parameter, Non Mux
T = Top Parameter, Non Mux
I/O Voltage, CE# Configuration
Z = 3.0 V, Individual Chip Enable(s)
V = 3.0 V, Virtual Chip Enable(s)
Table 42.
Valid Combinations for Stacked Products
64-Mbit
128-Mbit
256-Mbit
512-Mbit
1-Gbit
RD48F2000P0ZBQ0
RD48F3000P0ZBQ0
RD48F4000P0ZBQ0
RD48F4400P0VBQ0
RD48F4444PPVBQ0
RD48F2000P0ZTQ0
RD48F3000P0ZTQ0
RD48F4000P0ZTQ0
RD48F4400P0VTQ0
RD48F4444PPVTQ0
PF48F2000P0ZBQ0
PF48F3000P0ZBQ0
PF48F4000P0ZBQ0
PF48F4400P0VBQ0
PF48F4444PPVBQ0
PF48F2000P0ZTQ0
PF48F3000P0ZTQ0
PF48F4000P0ZTQ0
PF48F4400P0VTQ0
PF48F4444PPVTQ0
RC48F4400P0VB00
RC48F4400P0VT00
PC48F4400P0VB00
PC48F4400P0VT00
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TE28F640P30T85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F128P30B85 Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F160B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F800B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
TE28F400B3-B120 SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE
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參數(shù)描述
TE28F640P30B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
TE28F640P30T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR
TE28F640P33B85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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