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參數(shù)資料
| 型號： | TC55VBM416AFTN55 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | CABLE 30 COND RIBBON WHT 100FT |
| 中文描述： | 1,048,576字由16位/ 2097152字的8位全的CMOS靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | TC55VBM416AFTN55 |
TC55VBM416AFTN55
2002-08-29 7/14
AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
TEST CONDITION
Input pulse level
0.2 V, V
DD
×
0.7 V
+
0.2 V
t
R
, t
F
1V / ns(Fig.1)
Timing measurements
V
DD
×
0.5
Reference level
V
DD
×
0.5
Output load
30 pF
+
1 TTL Gate(Fig.2)
Fig.1 : Input rise and fall time
BYTE
Fig.2 : Output load
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
t
BS
BYTE Setup Time
5
ms
t
BR
BYTE Recovery Time
5
ms
TIMING DIAGRAMS
BYTE
Dout
30 pF
R2
V
TM
R1
R1
=
810
R2
=
1610
V
TM
=
2.3 V
GND
90%
1 V/ns
t
R
10%
90%
10%
t
F
V
DD
Typ
1 V/ns
CE2
t
BS
1
CE
t
BR
BYTE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC55VCM216ASTN40 | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VCM216ASTN55 | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VD1618FF-133 | 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD1636FF-133 | 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD818FF-133 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC55VBM416ATGN55LA | 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape |
| TC55VCM208ASTN40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:524,288-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
| TC55VCM208ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:524,288-WORD BY 8-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
| TC55VCM216ASTN40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VCM216ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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