參數(shù)資料
型號： STP9N30
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 9A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 337K
代理商： STP9N30
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TARGET DATA
June 2003
STP9NM60
STD9NM60 - STD9NM60-1
N-CHANNEL 600V - 0.55
- 8.3A TO-220/DPAK/IPAK
Zener-Protected MDmeshPower MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.55
I
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
I
IMPROVED ESD CAPABILITY
I
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
I
LOW GATE INPUT RESISTANCE
I
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH
MANUFACTORING YIELDS
DESCRIPTION
The MDmesh is a new revolutionary MOSFET
technology that associates the Multiple Drain pro-
cess with the Company’s PowerMESH horizontal
layout. The resulting product has an outstanding low
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent
avalanche characteristics. The adoption of the
Company’s proprietary strip technique yields overall
dynamic performance that is significantly better than
that of similar completition’s products.
APPLICATIONS
The MDmesh family is very suitable for increase
the power density of high voltage converters allow-
ing system miniaturization and higher efficiencies.
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
Pw
STP9NM60
STD9NM60
STD9NM60-1
600 V
600 V
600 V
< 0.60
< 0.60
< 0.60
8.3 A
8.3 A
8.3 A
100 W
100 W
100 W
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STP9NM60
P9NM60
TO-220
TUBE
STD9NM60T4
D9NM60
DPAK
TAPE & REEL
STD9NM60-1
D9NM60
IPAK
TUBE
TO-220
IPAK
DPAK
1
3
3
2
1
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP9NM60 N-CHANNEL 600V 0.55 OHM 8.3A TO-220/DPAK/IPAK ZENER-PROTECTED MDMESH POWER MOSFET
STDELIV Resettable Fuse; Operating Voltage Max:30V; Resistance:0.05ohm; Holding Current:4A; Tripping Current:8A; Initial Resistance Min:0.01ohm; Mounting Type:Through Hole; Terminal Type:Radial Leaded; Thermistor Tolerance:+/- 5%
STDL130 STDL130|Data Sheet
STDL131 STDL131|Data Sheet
STDL150 Cartridge Fuse; Current Rating:3A; Fuse Type:Fast Acting; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
STP9N60M2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STP9N60M2 Series 600 V 5.5 A 0.78 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 5.5A MDmesh II TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 5.5A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.72,5.5A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,0.72Ohm,5.5A Power MOSFET
STP9N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP9NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP9NA50FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STP9NB50 功能描述:MOSFET RO 512-FQP9N50 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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