參數(shù)資料
型號(hào)： STGW50NB60M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的-對(duì)IGBT的247 PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 299K
代理商： STGW50NB60M
5/9
STGW50NB60M
Total Switching losses vs Temperature
Collector-Emitter On Voltage vs Temperature
Total Switching losses vs Gate Resistance
Normalized Break-down Voltage vs Temp.
Capacitance Variations
Gate-Charge vs Gate-Emitter Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW50NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:-/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DF 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:1.09mJ（開），626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:51ns/160ns 測(cè)試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DRF 功能描述:IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*