參數(shù)資料
型號： STGY50NB60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的IGBT的MAX247 PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： STGY50NB60
STGY50NB60HD
N-CHANNEL 50A - 600V MAX247
PowerMESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGEDROP (V
CESAT
)
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
CO-PACKAGEDWITH TURBOSWITCH
ANTIPARALLELDIODE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix ”H” identifies a family
optimized to achieve very low switching times for
high frequencyapplications(<120kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
WELDING EQUIPMENTS
I
SMPSAND PFC IN BOTH HARDSWITCH
AND RESONANTTOPOLOGIES
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
)
P
tot
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
600
±
20
100
V
V
A
50
A
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
400
A
250
W
2
W/
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGY50NB60HD
600 V
< 2.8 V
50 A
June 1999
1
23
MAX247
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGY50NB60HD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGY80H65DFB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 開關(guān)能量:2.1mJ（開），1.5mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:414nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:84ns/280ns 測試條件:400V，80A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:30
STGYA120M65DF2 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247? 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):360A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，120A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:1.8mJ（開），4.41mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:66ns/185ns 測試條件:400V，120A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:202ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 裸露焊盤 供應商器件封裝:MAX247? 標準包裝:600
STH 制造商:Panduit Corp 功能描述:
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