參數(shù)資料
型號： STGW50NB60M
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道50A條- 600V的-對IGBT的247 PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： STGW50NB60M
STGW50NB60M
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-h
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(sat)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-heatsink Typ
0.5
30
0.1
°C/W
°C/W
°C/W
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25 °C
10
100
μA
μA
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
± 100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
GE
= 15V, I
C
= 30 A @25°C
V
GE
= 15V, I
C
= 30 A @100°C
V
GE
= 15V, I
C
= 50 A @25°C
V
GE
= 15V, I
C
= 50 A @100°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.3
1.2
1.5
1.35
1.9
V
V
V
V
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 18 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
22
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
CE
= 25 V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
4500
400
70
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480 V, I
C
= 50 A,
V
GE
= 15 V
231
28
97
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V , Tj = 125°C
R
G
= 10
300
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 50 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 50 A
R
G
=10
,
V
GE
= 15 V
Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
45
30
ns
ns
(di/dt)
on
Eon
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
1600
800
A/μs
μJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STH4N90 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH4N90FI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH51002Z 1300nm Laser in Coaxial TO-Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW50NC60W 功能描述:IGBT 晶體管 Ultra fast series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H60DLFB 功能描述:IGBT 600V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:-/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DF 功能描述:IGBT 晶體管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW60H65DFB 功能描述:IGBT 650V 80A 375W TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，60A 功率 - 最大值:375W 開關(guān)能量:1.09mJ（開），626μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:306nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:51ns/160ns 測試條件:400V，60A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:60ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STGW60H65DRF 功能描述:IGBT 晶體管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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