參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V的-到247短路IGBT的證明PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： STGW20NB60K
7/8
STGW20NB60K
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
0.40
1
MAX.
5.15
2.60
0.80
1.40
MIN.
0.19
0.08
0.015
0.04
MAX.
0.20
0.10
0.03
0.05
A
D
E
F
F1
F2
F3
F4
G
H
L
L1
L2
L3
L4
L5
M
V
V2
Dia
3
2
0.11
0.07
2
3
2.40
3.40
0.07
0.11
0.09
0.13
10.90
0.43
15.45
19.85
3.70
15.75
20.15
4.30
0.60
0.78
0.14
0.62
0.79
0.17
18.50
0.72
14.20
14.80
0.56
0.58
34.60
5.50
1.36
0.21
2
3
0.07
0.11
5o
60o
5o
60o
3.55
3.65
0.14
0.143
TO-247 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
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