參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V的-到247短路IGBT的證明PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： STGW20NB60K
1/8
May 2003
STGW20NB60K
N-CHANNEL 20A - 600V
- TO-247
SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW ON-LOSSES
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
VERY HIGH FREQUENCY OPERATION
I
SHORT CIRCUIT RATED
I
LATCH CURRENT FREE OPERATION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The suffix “K” identifies a family
optimized for high frequency motor control
applications with short circuit withstand capability.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
U.P.S.
I
WELDING EQUIPMENTS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGW20NB60K
600 V
< 2.8
V
20 A
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
40
A
20
A
80
A
μ
s
W
Tsc
Short Circuit Withstand
10
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
150
1
W/°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
–65 to 150
°C
Max. Operating Junction Temperature
150
°C
TO-247
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGW20NB60KD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
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