參數(shù)資料
型號(hào)： STGP3NB60M
英文描述： N-CHANNEL 600V 3A TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道600V的IGBT的第3A TO-220/DPAK POWERMESH
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大小： 502K
代理商： STGP3NB60M
1/10
September 2003
STGD3NB60HD
N-CHANNEL 6A - 600V
- DPAK
PowerMESH IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH FREQUENCY OPERATION
I
TYPICAL SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME
5micro S-family, 4 micro H family
I
CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH
ANTIPARALLEL DIODE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has de-
signed an advanced family of IGBTs, the Power-
MESH IGBTs, with outstanding perfomances.
The suffix "H" identifies a family optimized for high
frequency applications (up to 50kHz)in order to
achieve very high switching performances (reduced
tfall) mantaining a low voltage drop.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
I
SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND
RESONANT TOPOLOGIES
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
CES
V
CE(sat) (Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGD3NB60HD
600 V
< 2.8
V
6 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGD3NB60HDT4
GD3NB60HD
DPAK
TAPE & REEL
DPAK
1
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGP10N50A Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:DO-214AA; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:65V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
STH221 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:170V; Capacitance:60pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V
STH26N25 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218
STH26N25FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR
STH45N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGP3NB60MD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 600V 3A TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT
STGP3NB60S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAK PowerMESH⑩ IGBT
STGP3NC120HD 功能描述:IGBT 晶體管 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP40V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600 V, 40 A very high speed trench gate field-stop IGBT, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & Power Bipolar
STGP4M65DF2 功能描述:IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS 制造商:stmicroelectronics 系列:M 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開(kāi)關(guān)能量:40μJ（開(kāi)），136μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:15.2nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/86ns 測(cè)試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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