參數(shù)資料
型號(hào)： STH26N25FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 16A條（?。﹟對(duì)218VAR
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代理商： STH26N25FI
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PDF描述
STH45N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218
STH45N10FI 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STH4N80 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:150V; Holding Current:150mA
STH4N80FI Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:150V
STH55N10 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:340V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH270N4F3-2 功能描述:MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 180 A STripFET III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:40 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:1.4 mOhms 配置:Single 最大工作溫度:+ 175 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:H2PAK-2 封裝:Reel
STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STH270N8F7-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,1.7m,180A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 80V,1.7mOhm,180A Power MOSFET
STH270N8F7-6 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,1.7m,180A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 80V,1.7mOhm,180A Power MOSFET
STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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