參數(shù)資料
型號: STH26N25FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 16A條(?。﹟對218VAR
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文件大小: 339K
代理商: STH26N25FI
相關PDF資料
PDF描述
STH45N10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218
STH45N10FI 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
STH4N80 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:150V; Holding Current:150mA
STH4N80FI Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:MS-013; Current, It av:2.2A; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Capacitance:80pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:150V
STH55N10 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:340V; Holding Current:50uA RoHS Compliant: NA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STH270N4F3-2 功能描述:MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 180 A STripFET III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:40 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):1.4 mOhms 配置:Single 最大工作溫度:+ 175 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:H2PAK-2 封裝:Reel
STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STH270N8F7-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,1.7m,180A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 80V,1.7mOhm,180A Power MOSFET
STH270N8F7-6 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII 制造商:STMicroelectronics 功能描述:80V,1.7m,180A,N-Channel Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 80V,1.7mOhm,180A Power MOSFET
STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 90A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1