參數(shù)資料
型號(hào)： STGD3NB60HDT4
英文描述： N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道3A條600V的IGBT的DPAK封裝POWERMESH
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大小： 502K
代理商： STGD3NB60HDT4
9/10
STGD3NB60HD
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
DPAK FOOTPRINT
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
16.4
50
0.059
0.504
0.795
0.645
1.968
13.2
0.520
18.4
0.724
22.4
0.881
BASE QTY
2500
BULK QTY
2500
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
6.8
10.4
MAX.
7
10.6
12.1
1.6
MIN.
0.267
0.409
MAX.
0.275
0.417
0.476
0.063
A0
B0
B1
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
W
1.5
1.5
1.65
7.4
2.55
3.9
7.9
1.9
40
15.7
0.059
0.059
0.065
0.291
0.100
0.153
0.311
0.075
1.574
0.618
1.85
7.6
2.75
4.1
8.1
2.1
0.073
0.299
0.108
0.161
0.319
0.082
16.3
0.641
TAPE MECHANICAL DATA
All dimensions
are in millimeters
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD3NB60HT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No
STGD3NB60KD SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC
STGD3NB60M 58V SURGECTOR, DO-214AA
STGD3NB60MT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V
STGP3NB60M N-CHANNEL 600V 3A TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
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參數(shù)描述
STGD3NB60HT4 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6A I(C) | TO-252AA
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STGD3NB60KD 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 6A - 600V DPAK SHORT CIRCUIT PROOF POWERMESH IGBT
STGD3NB60KT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STGD3NB60M 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 600V 3A TO-220/DPAK POWERMESH IGBT
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