參數(shù)資料
型號(hào)： STGD3NB60HD
英文描述： N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
中文描述： N溝道3A條600V的IGBT的DPAK封裝POWERMESH
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 502K
代理商： STGD3NB60HD
STGD3NB60HD
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Emitter-collector Diode Characteristics
Total Switching Losses vs Temperature
Switching Off Safe Operating Area
Total Switching Losses vs Collector Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD3NB60HDT4 N-CHANNEL 3A 600V DPAK POWERMESH IGBT
STGD3NB60HT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF; Holding Current:150mA RoHS Compliant: No
STGD3NB60KD SIDACTOR - TECCOR P0640SC MC
STGD3NB60M 58V SURGECTOR, DO-214AA
STGD3NB60MT4 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA; Leakage Current:5uA; Mounting Type:Through Hole; On-State Saturation Voltage:4V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD3NB60HDT4 功能描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
STGD3NB60HT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6A I(C) | TO-252AA
STGD3NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD3NB60KD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 6A - 600V DPAK SHORT CIRCUIT PROOF POWERMESH IGBT
STGD3NB60KT4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
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