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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ST72521BAR6 |
| 英文描述： | ST72521B - 80/64-PIN 8-BIT MCU WITH 32 TO 60K ROM. FIVE TIMERS. SPI. SCI. I2C. CAN INTERFACE |
| 中文描述： | ST72521B - 80/64-PIN 8位32至60,000 ROM的微處理器。 5個(gè)定時(shí)器。的SPI。脊髓損傷。 I2C總線。 CAN接口 |
| 文件頁數(shù)： | 167/198頁 |
| 文件大?。?/td> | 2504K |
| 代理商： | ST72521BAR6 |
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ST72521B
167/198
11.8
EMC CHARACTERISTICS
Susceptibility tests are performed on a sample ba-
sis during product characterization.
11.8.1 Functional EMS
(Electro Magnetic Susceptibility)
Based on a simple running application on the
product (toggling 2 LEDs through I/O ports), the
product is stressed by two electro magnetic events
until a failure occurs (indicated by the LEDs).
I
ESD
: Electro-Static Discharge (positive and
negative) is applied on all pins of the device until
a functional disturbance occurs. This test
conforms with the IEC 1000-4-2 standard.
I
FTB
: A Burst of Fast Transient voltage (positive
and negative) is applied to V
DD
and V
SS
through
a 100pF capacitor, until a functional disturbance
occurs. This test conforms with the IEC 1000-4-
4 standard.
A device reset allows normal operations to be re-
sumed.
11.8.2 Electro Magnetic Interference (EMI)
Based on a simple application running on the product (toggling 2 LEDs through the I/O ports), the product
is monitored in terms of emission. This emission test is in line with the norm SAE J 1752/3 which specifies
the board and the loading of each pin.
Notes:
1. Data based on characterization results, not tested in production.
Symbol
Parameter
Conditions
Neg
1)
Pos
1)
Unit
V
FESD
Voltage limits to be applied on any I/O pin
to induce a functional disturbance
Fast transient voltage burst limits to be ap-
plied through 100pF on V
DD
and V
DD
pins
to induce a functional disturbance
V
DD
=
5V, T
A
=
+25°C, f
OSC
=
8MHz
conforms to IEC 1000-4-2
-1
1.5
kV
V
FFTB
V
DD
=
5V, T
A
=
+25°C, f
OSC
=
8MHz
conforms to IEC 1000-4-4
-1.5
1.5
Symbol
Parameter
Conditions
Monitored
Frequency Band
Max vs. [f
OSC
/f
CPU
]
8/4MHz
TBD
TBD
TBD
TBD
Unit
16/8MHz
11
23
14
3.0
S
EMI
Peak level
V
DD
=
5V, T
A
=
+25°C,
TQFP64 14x14 package
conforming to SAE J 1752/3
0.1MHz to 30MHz
30MHz to 130MHz
130MHz to 1GHz
SAE EMI Level
dB
μ
V
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