參數(shù)資料
型號(hào)： SSD2008A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|一對(duì)|互補(bǔ)| 30V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|蘇
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 301K
代理商： SSD2008A
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
P
DM
t
1
t
2
Fig 9. Nomalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
( N-Channel )
Dual P-CHANNEL
POWER MOSFET
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
I
D
= 250
μ
A
B
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
-4
10
-3
t
1
, Square Wave Pulse Duration [sec]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Single Pulse
0.02
0.05
0.1
0.2
Duty Cycle=0.5
@ Notes :
1. Z
θ
JC
(t)=62.5
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
-T
C
=P
DM
*Z
θ
JC
(t)
4. Surface Mounted
T
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.5 A
R
D
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
SSD2008A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSD2011 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO
SSD2013 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO
SSD2015 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD2019A TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2101 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSD2008ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2009 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2009A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2009ATF 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/3a 0.13Ohm@VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2010TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*