參數(shù)資料
型號(hào)： SSD2008A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
中文描述： 晶體管| MOSFET的|一對(duì)|互補(bǔ)| 30V的五（巴西）直| 3.5AI（四）|蘇
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 301K
代理商： SSD2008A
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
Fig 4. Source-Drain Forward Voltage
( N-Channel )
Dual P-CHANNEL
POWER MOSFET
0
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs= 3V
Vgs= 10,9,8,7,6,5,4V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
5
10
15
20
25
30
0
200
400
600
800
1000
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.5A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
10
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
V
GS
=4.5 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
SSD2008A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSD2011 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO
SSD2013 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO
SSD2015 TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3.8A I(D) | SO
SSD2019A TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO
SSD2101 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | SO
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參數(shù)描述
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SSD2010TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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