參數資料
型號： SI9947DY
英文描述： Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
中文描述： 雙P溝道增強型MOSFET
文件頁數： 4/4頁
文件大小： 87K
代理商： SI9947DY
Si9947DY
4
Siliconix
S-47958—Rev. F, 15-Apr-96
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
–4
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
–1
–0.5
0.0
0.5
1.0
–50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 3.5 A
I
D
= 250 A
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
10
–2
10
–1
1
10
30
V
V
G
相關PDF資料
PDF描述
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SIDAC silicon bilateral voltage triggered switch
SIM-080CYU LED DOT MATRIX MODULE
SIM-128CAH LED DOT MATRIX MODULE
SIM-128CAN Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 536-0010-5 00; No. of Positions: 11; Connector Type: Wire; Contact Gender: Female; Contact Spacing (mm): 1.25; Terminal Pitch (mm): 1.25; Current Rating(Amps)(Max.): 1; Operating Temperature Range (degrees C): -35 to 85; General Description: Housing; Single row; Crimping
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參數描述
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