參數(shù)資料
型號(hào)： SI4884
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 12 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： SI4884
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
6 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
VGS = 2.2 V
ID
(A)
16
12
8
4
0
2.5 V
2.8 V
5 V
4 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VDS (V)
003aaa162
20
16
12
8
4
0
ID
(A)
VGS (V)
0
1
2
4
3
150
ο
C
25
ο
C
003aaa163
RDSon
(m
)
40
0
160
200
120
80
ID (A)
16
0
4
8
12
VGS = 2.5 V
2.2 V
4 V
5 V
003aaa164
03aa27
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
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