參數(shù)資料
型號(hào)： SI4884
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS⑩ logic level FET
中文描述： 12 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 89K
代理商： SI4884
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
3 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
V
GS
≥
5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
40
80
Pder
(%)
120
0
50
100
150
200
Tsp (oC)
03aa25
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
sp
(
o
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
)
-------------------
100
%
×
=
Limit RDSon = VDS / ID
DC
tp =
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
VDS (V)
102
10
1
10-1
ID
(A)
102
10
10-1
1
10-2
003aaa160
1 s
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PDF描述
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