參數(shù)資料
型號(hào)： S71PL032J40
廠商： Spansion Inc.
英文描述： STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
中文描述： 堆疊式多芯片產(chǎn)品，閃存和RAM
文件頁(yè)數(shù)： 110/196頁(yè)
文件大小： 5729K
代理商： S71PL032J40
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110
pSRAM Type 3
pSRAM_Type03_06A0 February 25, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
AC Characteristics
Table 31. DC Characteristics (T
A
= -25
°
C to 85
°
C, VDD = 2.6 to 3.3V)
SYMBOL
PARAMETER
TEST CONDITION
MIN
MAX
UNIT
I
IL
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
DD
-1
1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
IO
= V
SS
to V
DD
CE1# = V
IH
, CE2 = V
IL
or
OE# = V
IH
or WE# = V
IL
-1
1
μ
A
I
CC1
Operating Current @ Min. Cycle Time
Cycle time = Min., 100% duty,
I
IO
= 0mA, CE1# = V
IL
, CE2 = V
IH
,
V
IN
= V
IH
or V
IL
-
35
mA
I
CC2
Operating Current @ Max Cycle Time
Cycle time = 1
μ
s, 100% duty
I
IO
= 0mA, CE1#
≤
0.2V,
CE2
≥
V
DD
-0.2V, V
IN
≤
0.2V
or V
IN
≥
V
DD
-0.2V
-
5
mA
I
SB1
Standby Current (CMOS)
CE1# = V
DD –
0.2V and
CE2 = V
DD –
0.2V,
Other inputs = V
SS
~ V
CC
-
100
μ
A
I
SBD
Deep Power-down
CE2
≤
0.2V, Other inputs =
V
SS
~ V
CC
10
μ
A
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1mA
-
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -1.0mA
2.4
-
V
Table 32. AC Characteristics and Operating Conditions (T
A
= -25
°
C to 85
°
C, V
DD
= 2.6 to 3.3V)
Cycle
Symbol
Parameter
70
Unit
Min
Max
R
t
RC
Read Cycle Time
70
-
ns
t
AA
Address Access Time
-
70
ns
t
CO1
Chip Enable (CE#1) Access Time
-
70
ns
t
CO2
Chip Enable (CE2) Access Time
-
70
ns
t
OE
Output Enable Access Time
-
35
ns
t
BA
Data Byte Control Access Time
-
70
ns
t
LZ
Chip Enable Low to Output in Low-Z
10
-
ns
t
OLZ
Output Enable Low to Output in Low-Z
5
-
ns
t
BLZ
Data Byte Control Low to Output in Low-Z
10
-
ns
t
HZ
Chip Enable High to Output in High-Z
-
25
ns
t
OHZ
Output Enable High to Output in High-Z
-
25
ns
t
BHZ
Data Byte Control High to Output in High-Z
-
25
ns
t
OH
Output Data Hold Time
10
-
ns
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PDF描述
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