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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128P11TAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 67/77頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11TAI010 |
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November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
67
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
12. Appendix
This section contains information relating to software control or interfacing with the Flash device. For
additional information and assistance regarding software, see
Section 5.
For the latest information, explore
the Spansion web site at
www.spansion.com
.
12.1
Command Definitions
Writing specific address and data commands or sequences into the command register initiates device
operations. Tables
12.1
–
12.4
define the valid register command sequences.
Writing incorrect address and
data values or writing them in the improper sequence can place the device in an unknown state.
A reset
command is then required to return the device to reading array data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays |
| S29GL128P11TAIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays |
| S29GL128P11TFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Mirrorbit Flash Memory IC |
| S29GL128P11TFI020 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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