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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P11TAI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 59/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11TAI010 |
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November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
59
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Notes
1. V
IO
< V
CC
+ 200 mV.
2. V
IO
and V
CC
ramp must be synchronized during power up.
3. If RESET# is not stable for t
VCS
or t
VIOS
:
The device does not permit any read and write operations.
A valid read operation returns FFh.
A hardware reset is required.
4. V
CC
maximum power-up current (RST=V
IL
) is 20 mA.
Figure 11.8
Power-up Sequence Timings
Table 11.5
Power-up Sequence Timings
Parameter
Description
Speed
Unit
t
VCS
Reset Low Time from rising edge of V
CC
(or last Reset pulse) to
rising edge of RESET#
Min
35
μs
t
VIOS
Reset Low Time from rising edge of V
IO
(or last Reset pulse) to
rising edge of RESET#
Min
35
μs
t
RH
Reset High Time before Read
Min
200
ns
V
CC
min
V
CC
V
IO
min
V
IO
CE#
RESET#
t
RH
t
VIOS
t
VCS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TAI020 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays |
| S29GL128P11TAIV20 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays |
| S29GL128P11TFI010 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 100ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Mirrorbit Flash Memory IC |
| S29GL128P11TFI020 | 功能描述:閃存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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