- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385798 > S29GL064N11TFIV10 (SPANSION LLC) 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N11TFIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 72/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11TFIV10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁當前第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁
72
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
Figure 15.11
Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
Notes
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. D
OUT
is the data written to the device.
4. Illustration shows device in word mode.
t
GHEL
t
WS
OE#
CE#
WE#
RESET#
t
DS
Data
t
AH
Addresses
t
DH
t
CP
DQ7#
D
OUT
t
WC
t
AS
t
CPH
PA
Data# Polling
PBD for program
55 for erase
t
RH
t
WHWH1 or 2
RY/BY#
t
WH
29 for program buffer to flash
30 for sector erase
10 for chip erase
PBA for program
2AA for erase
SA for program buffer to flash
SA for sector erase
555 for chip erase
t
BUSY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFIV12 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV62 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFIV13 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Trays |
| S29GL064N11TFIV20 | 功能描述:閃存 64MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV73 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA63, IND - Tape and Reel |
| S29GL064N11WEI039 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL064N KNOWN GOOD DIE IN WAFER FORM, 64 MBIT, - Trays |
| S29GL064N90BAI040 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 48FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。