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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N11TFIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 69/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11TFIV10 |
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November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
69
D a t a
S h e e t
Figure 15.7
Chip/Sector Erase Operation Timings
Notes
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see
Write Operation Status on page 55
.)
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 15.8
Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
Note
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ0–DQ6
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
CH
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
POLL
t
ACC
t
CE
t
OEH
t
DF
t
OH
t
RC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFIV12 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFIV62 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFIV13 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Trays |
| S29GL064N11TFIV20 | 功能描述:閃存 64MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV73 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA63, IND - Tape and Reel |
| S29GL064N11WEI039 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL064N KNOWN GOOD DIE IN WAFER FORM, 64 MBIT, - Trays |
| S29GL064N90BAI040 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 48FBGA - Trays |
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