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參數(shù)資料
| 型號： | RD28F6408W30B70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 12/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F6408W30B70 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
6
Preliminary
NOTE:
For non-discrete devices, all flash signals are prefixed with F_ before its signal
’
s name.
2.5
Block Diagram
2.6
Flash Memory Map
The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O memory is divided into separate
partitions to support the read-while-write/erase function. Each partition is 4-Mbits in size and can
operate independently from other partitions.
V
SS
Pwr
FLASH POWER SUPPLY GROUND:
Balls for internal device circuitry must be connected to system
ground.
V
SSQ
Pwr
FLASH OUTPUT POWER SUPPLY GROUND:
Balls for internal device circuitry must be connected to
system ground.
S-V
CC
Pwr
SRAM POWER SUPPLY:
Device operations at invalid S-V
CC
voltages should not be attempted.
S-V
SS
Pwr
SRAM GROUND:
Balls for all internal device circuitry must be connected to system ground.
DU
DON
’
T USE:
Do not use this ball. This ball should not be connected to any power supplies, control signals
and/or any other ball and must be floated.
NC
NO CONNECT:
No internal connection. Can be driven or floated.
Table 2. Signal Descriptions (Sheet 2 of 2)
Symbol
Type
Name and Function
Figure 3. 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SLRAM Block Diagram
32, 64, 128 Mbit
Flash Memory
CE#
OE#
WE#
RST#
WP#
V
CC
V
CCQ
V
PP
4 or 8 Mbit
SRAM
S-SC
1
#
S-SC
2
S-OE#
S-WE#
S-LB#
S-V
CC
S-V
SS
A
0-17
/ A
0-18
A
18-20
/ A
19-21
or A
19-22
DQ
15-0
ADV#
CLK
WAIT
V
SS
V
SSQ
S-UB#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30B85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T70 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T85 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD30HUF1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| RD38F1020C0ZTL0 | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD28F6408W30B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28F6408W30T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| RD28S-6/206708 | 功能描述:BLWR DUAL CENT 470X378MM 230VAC RoHS:是 類別:風扇，熱管理 >> 風扇 - AC 系列:RD28S 其它有關(guān)文件:Declaration of Conformity 標準包裝:1 系列:- 氣流:- 軸承類型:- 風扇類型:- 特點:- 雜訊:- 功率（瓦特）:- RPM:- 尺寸/尺寸:- 靜態(tài)壓力:- 端子:- 電壓 - 額定:- 重量:- 額定電流:- 預期壽命:- 工作溫度:- 電壓范圍:- 其它名稱:Q5464961 |
| RD28S-6206708 | 制造商:EBMPAPST 制造商全稱:ebm-papst 功能描述:CENTRIFUGAL BLOWER |
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