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參數(shù)資料
| 型號： | PMWD16UN |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET |
| 中文描述： | 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153 |
| 封裝： | PLASTIC, TSSOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | PMWD16UN |
9397 750 14724
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 March 2005
8 of 12
Philips Semiconductors
PMWD16UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
I
D
= 4 A; V
DD
= 16 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values
003aaa273
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMWD30UN | Dual uTrenchMOS ultra low level FET |
| PN100A | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN100 | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN200 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
| PN2222A | NPN General Purpose Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PMWD16UN /T3 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD16UN,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD16UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD18UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD19UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
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