參數(shù)資料
型號(hào)： PH3830L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： PH3830L
Philips Semiconductors
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 2 March 2004
6 of 12
9397 750 12945
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
003aaa379
0
20
40
60
0
0.5
1
1.5
2
VDS (V)
ID
(A)
5 V
3.5 V
2.7 V
2.9 V
2.5 V
3 V
2.6 V
2.8 V
10 V
VGS = 3.1 V
003aaa380
0
10
20
30
40
50
ID
(A)
1
2
3
4
VGS (V)
Tj = 150
°
C
25
°
C
003aaa381
0
4
8
12
0
10
20
30
40
50
ID (A)
RDSon
(m
)
4 V
5 V
VGS = 3.5 V
3 V
3.1 V
2.9 V
10 V
03al00
0
0.6
1.2
1.8
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
----------------------------
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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