參數(shù)資料
型號： PHB100N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： PHB100N03LT
PHB100N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 07 September 2000
Product specification
c
c
M3D166
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHB100N03LT in SOT404 (D
2
-PAK).
2.
Features
I
TrenchMOS technology
I
Low on-state resistance
I
Avalanche ruggedness rated
I
Logic level compatible
I
Surface mount package.
3.
Applications
I
DC to DC converters
I
Synchronous rectification.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT404, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT404 (D
2
-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
connected to drain (d)
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
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PDF描述
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PHB108NQ03LT TrenchMOS logic level FET
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