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參數(shù)資料
| 型號： | PD57002S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | PD57002S |
9/16
PD57002 - PD57002S
COMMON SOURCE S-PARAMETER
(PD57002)
(V
DS
= 13.5V I
DS
= 150mA)
FREQ
IS
11
I
S
11
∠Φ
IS
21
I
S
21
∠Φ
IS
12
I
S
12
∠Φ
IS
22
I
S
22
∠Φ
(MHz)
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
1150
1200
1250
1300
1350
1400
1450
1500
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0.889
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115
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90
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76
70
65
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26
22
19
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12
8
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2
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0.037
0.037
0.037
0.037
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49
38
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19
12
4
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-7
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-154
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD57006 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57006S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57018 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57018S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57030 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD57002S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY |
| PD57006-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
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