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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PD57002S |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| 中文描述： | 射頻功率晶體管LdmoST塑料家庭 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/16頁(yè) |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | PD57002S |
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PD57002 - PD57002S
Output Power vs Drain Voltage
Efficiency vs Drain Voltage
Output Power vs Gate-Source Voltage
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
30
Vdd (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Pout (W)
Pin = 17.4dBm
Idq = 15mA
960 MHz
945 MHz
925 MHz
10
12.5
15
17.5
20
22.5
25
27.5
30
Vdd (V)
10
20
30
40
50
60
Nd (%)
Pin = 17.4dBm
Idq = 15mA
945 MHz
925 MHz
960 MHz
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Vgs (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Pout (W)
Pin = 17.4dBm
Vdd = 28V
945 MHz
925 MHz
960 MHz
TYPICAL PERFORMANCE (PD57002S)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PD57006 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57006S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57018 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57018S | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
| PD57030 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD57002S-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006-01 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY |
| PD57006-E | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| PD57006-E_10 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
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