參數(shù)資料
型號(hào)： NSS30070MR6T1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30 V, 0.7 A, Low VCE(sat) PNP Transistor(30V, 0.7A, 低VCE(sat) PNP晶體管)
中文描述： 700 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, MINIATURE, CASE 318F-05, SC-74, 6PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： NSS30070MR6T1G
NSS30070MR6T1G
http://onsemi.com
3
Figure 5. “ON” Voltages
Figure 6. CollectorEmitter Saturation Voltage
0.001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.1
0.01
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.01
0.16
0.12
0.04
0
0.1
0.01
V
0.1
1.0
1.0
0.08
VC
V
BE(sat)
V
CE(sat)
I
C
/I
B
= 100
I
C
/I
B
= 10
T = 85
°
C
25
°
C
0
°
C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Figure 7. CollectorEmitter Saturation Voltage
Figure 8. V
BE(on)
Voltage
Figure 9. Thermal Response Curve
1.0
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.6
0.4
0.2
0.3
0.01
0.0001
TIME (sec)
1.0
0.01
VC
0.1
0
0.001
1.0
0.0001
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
1.0
0.75
0.5
VB
0.25
0
0.001
0.01
V
CE
= 1.0 V
T
0.5
0.1
0.1
0.1
1.0
10
100
I
C
/I
B
= 100
T = 85
°
C
25
°
C
0
°
C
150
°
C
25
°
C
40
°
C
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
(SEE AN569)
Z
JA
(t) = r(t) R
JA
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA
(t)
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
t
1
t
2
P
(pk)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NST30010MXV6T1G Dual Matched General Purpose Transistor(雙通用晶體管)
NST3946DW1T1 Dual General Purpose Transistor
NST3946DXV6T5 Dual General Purpose Transistor(雙通用晶體管)
NST3946DXV6T1D Dual General Purpose Transistor
NST3946DXV6T1 Dual General Purpose Transistor(雙通用晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NSS30071MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30100LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30101LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS30201MR6T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
NSS35200CF8T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*