參數(shù)資料
型號： NE651R479A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 69K
代理商： NE651R479A-T1
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
6
NE651R479A
79A PACKAGE DIMENSIONS (Unit: mm)
Source
Gate
Drain
0.4±0.15
5.7 MAX.
5
0
0
4
4.2 MAX.
Source
Gate
Drain
BOTTOM VIEW
3.6±0.2
1.5±0.2
1
0.8 MAX.
1
0
0
T
H
8
X
79A PACKAGE RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT (Unit: mm)
Drain
Gate
Source
0.5
0.5
0
1
5
6.1
1
4.0
1.7
Stop up the hole with a rosin
or something to avoid solder
flow.
through hole 0.2
×
33
相關PDF資料
PDF描述
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NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE661M04-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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