參數(shù)資料
型號： NE651R479A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 69K
代理商： NE651R479A-T1
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
4
NE651R479A
S-PARAMETERS
Test Conditions: V
DS
= 3.5 V, I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
Frequency
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
0.868
0.866
0.864
0.863
0.868
0.862
0.860
0.861
0.859
0.861
0.862
0.857
0.855
0.856
0.860
0.860
0.863
168.8
172.7
176.9
179.4
176.6
173.6
170.8
168.3
165.4
162.2
159.3
156.7
153.5
150.0
146.7
142.9
140.1
6.120
5.225
4.641
4.145
3.730
3.359
3.152
2.894
2.695
2.527
2.387
2.261
2.229
2.093
1.946
1.884
1.785
96.9
95.0
93.0
91.6
89.4
88.3
87.5
85.8
85.2
84.2
82.9
82.8
80.9
77.8
76.9
75.5
73.6
0.046
0.046
0.045
0.045
0.045
0.045
0.046
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0.047
0.046
0.046
0.047
0.046
0.046
0.045
0.045
0.045
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14.9
14.8
15.4
15.8
16.6
16.6
15.7
15.5
16.1
17.0
17.1
17.0
16.6
16.3
16.9
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0.540
0.541
0.542
0.542
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0.533
0.533
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0.537
0.533
0.533
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179.6
178.0
175.5
173.4
171.9
170.1
167.8
165.9
163.8
161.1
158.4
156.0
154.0
149.6
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PDF描述
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NE652N 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
NE657N 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DISCD I.C.
NE661M04 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE661M04-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE661M04-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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