參數(shù)資料
型號： NE6510379A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 3瓦L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： NE6510379A-T1
Preliminary Data Sheet
4
NE6510379A
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 1.9 GHz (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
μ
Rg
1000 p
VGS
VDS
/4 OPEN STUB
λ
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
C1
2
5
3
3
3
30.9
5
5
16
18
2
50
LINE
/4 LINE
λ
C2
3
5
2
3
5
5
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 1.9 GH
Z
VDS = 3.5 V
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
Rg = 100
4
3
4.5
30
2
5
10.5
3
3
10
10
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 900 MHz (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
Rg
1000 p
VGS
VDS
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
C1
3 2.5
5
26
50
LINE
/4 LINE
λ
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 900 MH
Z
VDS = 3.5 V
I
Dset
= 200 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
C3 = 1000 pF
C4 = 2 pF
C5 = 3 pF
C6 = 2 pF
C7 = 8 pF
C8 = 8 pF
C9 = 3 pF
R1 = 270
Rg = 100
C4 C5
C6 C7
2
C8 C9
3
R1
C3
C2
7
3
2
20
3 3
2.5
5
5
3
3
3
/4 OPEN STUB
λ
5
3
5
3
4.5
3
7
1
7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE651R479A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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