參數(shù)資料
型號： NE5500179A
廠商： NEC Corp.
英文描述： SILICON POWER MOS FET
中文描述： 硅功率MOS FET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： NE5500179A
Data Sheet PU10118EJ01V1DS
3
NE5500179A
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
V
GS
= 10 V MAX.
Step = 1.0 V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
D
D
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
3.5
1.0
1.5
3.0
2.0
2.5
0.5
0
16
14
12
10
8
6
2
4
V
DS
= 4.8 V
SET DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
S
D
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
1 000
10
100
1
0.1
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V
DS
= 4.8 V
I
= 100 mA
f = 1.9 GHz
P
out
I
D
O
o
D
D
Input Power P
in
(dBm)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. INPUT POWER
35
20
30
25
15
10
500
400
300
200
100
0
30
25
15
10
5
0
20
V
DS
= 4.8 V
I
Dset
= 100 mA
f = 1.9 GHz
d
η
add
η
100
50
0
30
25
20
15
10
5
D
η
P
η
Input Power P
in
(dBm)
DRAIN EFFICIENCY, POWER ADDED
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
V
DS
= 4.8 V
f = 1.9 GHz
P
in
= 20 dBm
P
out
I
D
O
o
D
D
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
31
28
30
29
27
26
500
400
300
200
100
0
4.0
2.0
1.0
0.0
3.0
V
DS
= 4.8 V
f = 1.9 GHz
P
in
= 20 dBm
100
50
0
4.0
3.0
2.0
1.0
D
η
P
η
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
DRAIN EFFICIENCY, POWER ADDED
EFFICIENCY vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
d
η
add
η
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NE5500479A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
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