- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361075 > NAND512R4M2CZB5E (意法半導(dǎo)體) 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R4M2CZB5E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | 存儲器模塊 |
| 英文描述： | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| 中文描述： | 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP |
| 文件頁數(shù)： | 7/23頁 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | NAND512R4M2CZB5E |
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Summary description
7/23
LPSDRAM Component
The NAND256-M and NAND512-M devices contain either:
one M65KA256AL: 256Mbit (x16) Single Data Rate (SDR) LPSDRAM
two M65KA256AL: 256Mbit (x16) Single Data Rate (SDR) LPSDRAMs (SDR
0
and
SDR
1
)
one M65KG256AF: 256Mbit (x16) Double Data Rate (DDR) LPSDRAM
one M65KG512AB:
512Mbit (x16) Double Data Rate (DDR) LPSDRAM
one M65KC512AB: 512Mbit (x32) Single Data Rate (SDR) LPSDRAM
●
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●
Refer to
Table 1: Product List
, for a description of the memories contained in the NAND256-
M, NAND256-M and NAND01G-M devices.
For detailed information on how to use the SDR LPSDRAM devices, refer to the
M65KA256AL and M65KC512AB datasheets which are available from your local
STMicroelectronics distributor.
For detailed information on how to use the DDR LPSDRAM device, refer to the
M65KG256AB datasheet which is available from your local STMicroelectronics distributor.
Figure 1.
Logic Diagram: NAND Flash & 1 x SDR LPSDRAM
Ai11024b
13
A0-A12
DQ0-DQ15
16
K
KE
W
D
V
DDQD
E
D
CAS
DQM0
DQM1
V
DDF
W
F
V
DDD
NAND256-M
NAND512-M
NAND01G-M
E
F
V
SSD
WP
AL
CL
RB
R
RAS
2
BA0-BA1
8/16
I/O8-I/O15, x16
I/O0-I/O7, x8/x16
V
SSQD
V
SSF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3M5BZB5F | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAS-xxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NASxxx | SEMI-PRECISION POWER WIREWOUND RESISTOR |
| NAS1581 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
| NAS1581-10 | 100 DEG FRUSH REDUCED HEAD BOLT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
| NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND512W3A2BE06 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:512 MBIT NAND FLASH MEMORY WAFER |
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